【行业分析】 半导体皇冠上的明珠——IGBT(功率半导体)时间: 2024-06-22 12:43:30 | 作者: 产品类型 功率分立器件的演进路径基本为二极管-晶闸管-MOSFET-IGBT,其中,IGBT是功率半导体新一代中的典型产品。 IGBT既有MOSFET的开关速度快、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能够比拟的。因而是电力电子领域较为理想的开关器件,被誉为“电力电子器件里的CPU”,也被称为半导体皇冠上的明珠!
IGBT 领域技术更迭较慢,部分产品能用到 5-10 年之久,同时IGBT的进入壁垒是功率半导体里最高,从芯片设计到模组都需要很久技术积累以及在实际应用中不断调试,注重资深工程师的经验积累,高壁垒重积累的特性利于业内玩家持续强化护城河。 全球的IGBT应用来看,工控占比37%,为最大的应用领域,电动汽车28%,新能源发电9%,消费领域8%。 而在国内,由于我国高铁发达,下游应用领域工业控制29%,轨道交通28%,新能源汽车12%,新能源发电8%,不过随着我们国家新能源领域的持续不断的发展,新能车和光伏风电这两块需求占比未来将持续上升。
2017年全球IGBT市场规模为52.55亿美元,同比2016年增长16.5%,2018年全球IGBT 市场规模在58.36亿美元左右,同比增长11%,在功率半导体各个细分中属于景气度最高的。 国内的IGBT需求增长远超全球增长。根据智研咨询的数据,2018年中国IGBT市场规模为161.9亿元,同比增长22.19%,增速明显高于全球平均水平。 受益于新能源车、风电和光伏等我国强势领域的持续发展,预计未来国内IGBT的复合增速继续保持 20%以上。 这符合我们最终选择高成长行业的基本指标,行业年增速超过20%,属于行业的初级且处于高速成长期,易产生10倍以上的牛股。 IGBT 市场之间的竞争格局较为集中,主要竞争者包括英飞凌、三菱、富士电机、安森美、瑞士ABB等,2017年全球前五大IGBT厂商的份额超过70%。国内IGBT 龙头斯达半导 2018 年在模块领域市占率仅2.2%。
由于IGBT的下游应用新能源车、光伏、风电等这些新兴领域,我国在世界上的话语权高于过去的传统燃油车领域和工控领域。 因此在IGBT的增量空间中有一半以上需求都在中国,未来几年我国的IGBT市场需求占比将从 2019 年不足35%提升到 2025 年的50%或以上,为我国的 IGBT厂商提升份额和竞争力创造了良好的条件,国产IGBT厂商市场占有率和业务量的提升潜力非常大。 庞大的本土下游需求加国产替代的浪潮,国内已经实现从0到1突破的优秀IGBT公司,将迎来未来5-10 年从1到N 的黄金发展机遇期。
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