【48812】芯能半导体“一种带ESD结构的IGBT芯片及其制造的进程”专利获授权

时间: 2024-08-05 11:20:44 |   作者: 产品类型

　　天眼查显现，深圳芯能半导体技能有限公司近来获得一项名为“一种带ESD结构的IGBT芯片及其制造的进程”的专利，授权公告号为CN116779666B，授权公告日为2024年3月26日，申请日为2023年8月22日。

　　本发明供给了一种带ESD结构的IGBT芯片及其制造的进程，该芯片包含：自上而下的顶层金属区、ESD结构、多晶硅区、N+发射极、P型体区、N型硅衬底、N型场停止区以及P+阳极区；其间，所述多晶硅区的顶部水平构成有一层水平多晶硅，所述水平多晶硅上构成有横向放置的NPN结构以构成所述ESD结构。本发明经过在多晶硅区的顶部水平构成有一层水平多晶硅，所述水平多晶硅上构成有横向放置的NPN结构以构成所述ESD结构，然后使得多晶硅区和触摸孔经过ESD结构相连，因为触摸孔是与发射极地点的N+区域相连，使得栅极多晶和发射极之间并联了ESD结构，然后维护了栅极和发射极。