泰克先进半导体开放实验室再升级开启功率器件测试新篇章

时间: 2024-07-23 12:10:32 |   作者: 产品品牌

　　泰克创新实验室致力于打造一个完整的生态平台，通过线上线下多元化的互动方式，促进行业内外的交流与合作。实验室的重新揭幕，不仅标志着其在测试技术领域的新里程碑，也预示着泰克本土化进程的进一步深化加强。泰克将与合作伙伴更密切的合作，以泰克测试解决方案为核心，开发更多本土化方案，来解决中国客户的实际痛点。

　　泰克先进半导体开放实验室，作为北京先进半导体测试领域的领军者，今日宣布其实验室经过全面升级后，推出Version 2.0并在京盛大揭幕。泰克科技中国区分销业务总经理宋磊为本次盛会做了开幕致辞，同时我们有幸邀请到了第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长高伟博士，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟副秘书长侯喜峰，国家新能源汽车创新中心功率测试平台负责人郭大铭作为特邀演讲嘉宾，泰克科技首席技术官张欣也在现场做了精彩分享。泰克的合作伙伴飞仕德，众力为， 欧菲特等更在会上展示了和泰克通力合作，在第三代半导体应用上取得的成就。

　　此次升级不仅是技术解决方案的飞跃，更是对创新精神的一次深刻体现，旨在扩展全面的测试能力，提供一站式解决方案，打造一个开放、协作、共赢的生态平台，携手用户共同应对新技术测试的挑战。

　　第三代半导体不是一个全新的话题，其蒸蒸日上的态势已形成，对应的测试需求与日俱增。泰克公司作为测试测量领域的佼佼者，始终致力于提升企业核心竞争力，创新研发第三代半导体的测试解决方案。泰克将本土化作为核心竞争力之一，自2022年在中国成立先进半导体开放实验室以来，已累计免费为超过300人次提供服务，测试器件种类超过1000种，是国内面向第三代半导体功率器件方向，测试能力卓越，综合能力领先的实验室；同时也是客户实测和交流的平台。

　　为了更好的衔接客户测试需求，应对新技术应用场景，现在实验室再次升级，泰克创新实验室V2.0横空出世，设备再更新，能力再升级。此次升级包括了GaN器件开关测试和动态导通电阻测试、SiC功率器件的短路测试、雪崩测试，以及更全面的静态参数和电容参数检测系统。此外，实验室还引入了全新的面向第三代半导体功率器件的可靠性检测系统，以满足日渐增长的测试需求。

　　泰克创新实验室致力于打造一个完整的生态平台，通过线上线下多元化的互动方式，促进行业内外的交流与合作。实验室的重新揭幕，不仅标志着其在测试技术领域的新里程碑，也预示着泰克本土化进程的进一步深化加强。泰克将与合作伙伴更密切的合作，以泰克测试解决方案为核心，开发更多本土化方案，来解决中国客户的实际痛点。

　　我们将以更全面的测试能力，与客户一起打磨产品，验证标准，为国产第三代半导体公司可以提供优质良好的服务，一同推动第三代半导体技术的进一步发展。

　　DPT1000A功率器件动态参数检测系统，于2021年首度推出，旨在解决客户在功率器件动态特性表征中常见的疑难问题。泰克公司结合自己在时域波形测量领域的丰富经验，与国内系统集成商一道，共同定义并开发了这套面向新一代功率器件的动态参数检测系统。这套系统具备高测试带宽，低寄生参数，兼容性强，系统灵活方便升级的特点，系统推出后得到广大测试工程师的广泛认可。除了常规的开关参数和反向恢复测试外，DPT1000A还能够实现雪崩测试，短路测试，测试期间种类涵盖Si MOSFET，IGBT，PMOS，SiC，GaN等，系统具备极高的灵活性，适配多种测试标准。

　　SPT1000A静态参数检测系统可用于各类二极管、三极管、绝缘栅型场效应管、结型场效应管、单向和双向可控硅、普通和高速光耦、整流桥、共阴共阳二极管等各类分立器件的静态参数测试。

　　系统搭配了业界领先的源表（SMU）和精密LCR表。使得本系统能在3kV和1000/2000A的条件下实现精确测量和参数分析，漏电流测试分辨率高达fA级，电压测试分辨率最高可达nV级，以及3000V高压下的寄生电容的精密测量。本系统不仅适用于传统硅基功率器件，也可用于新型功率半导体器件如碳化硅、氮化镓、氧化镓等的静态参数测试。

　　SPT1000A在测试夹具设计上采用一站式设计，被测件插入夹具后，可以一次性完成高压、大电流，寄生电容相关测试，无需更换测试夹具和测试连接，简化操作步骤，提高测试效率。系统支持加温测试，外置选配热流仪能够直接进行高温低温。

　　DHTXB-1000A动静态综合老化检测系统针对第三代半导体功率器件，参考AQG-324标准，根据特有的器件特性和失效机理，在加速老化条件下，有明确的目的性的施加特定压力条件（包括静态压力和动态压力），用以测试器件的漏流指标，以及其他特性参数（例如阈值电压，导通电阻等关键指标），用以表征器件的老化特性和工作寿命。可以让器件制造商和器件使用者在较短时间内了解功率器件的老化特性，以及经常使用条件下的性能变化，为器件实际应用过程中也许会出现的故障进行预判和分析。

　　以SiC和GaN为代表的第三代半导体功率器件，由于其相对较短的面市历史，目前器件的可靠性与寿命分析仍属于科研前沿。在这一背景下，老化测试方法尚未形成统一标准。然而，在一些行业领先厂商和标准化组织的积极推动下，例如JEP180，针对功率器件的高温度操作寿命（HTOL）测试方法正慢慢的变成为评估这些新型功率器件老化特性的新兴手段。

　　HTOL测试方法的主要优点是其能够模拟器件在实际在做的工作环境下的老化过程。通过在高温条件下加速器件的退化过程，该方法能够在较短的时间内获得关于器件老化特性的宝贵数据。这一些数据不仅对用户具有较高的说服力，而且对于产品的保修期限和维护计划的制定具备极其重大指导意义。

　　此外，通过在特定拓扑结构的电源电路中进行硬开关测试，HTOL方法可以有明显效果地预测器件在特定工作条件下的预期寿命。这不仅为产品的可靠性评估提供了科学依据，同时也帮助设计者深入理解器件在预期寿命周期内的性能表现，从而在产品研究开发和优化过程中做出更精准的决策。