2024年中国MOSFET行业技术发展现状分析 宽禁带材料为核心发展趋势【组图】

时间: 2024-05-19 12:22:05 |   作者: 产品品牌

  MOSFET的技术迭代历程总体可以总结为技术革新、工艺进步、材料升级三大部分，MOSFET在设计上经历了平面型、沟槽型、超级结等多个技术革新阶段，每一次技术上的迭代伴随着MOSFET生产的基本工艺的革新以及元器件结构的变化，近年来SiC、GaN等材料的应用，使得宽禁带材料成为了MOSFET发展的核心方向。

  MOSFET是一种全控制型半导体功率分立器件，通过栅极电压的变化来控制输出电流的大小，并实现开通和关断。常用产品品种类型较多，按载流子类型可分为N型和P型MOSFET两大类。按沟道形成方式可分为增强型和耗尽型MOSFET两种，增强型MOSFET是基本的产品类型。具有输入阻抗大、导通电阻小、功耗低、漏电小、工作频率高，工艺基本成熟，成本低的特点。MOSFET应用领域非常广，主要使用在电源和驱动控制两类电子科技类产品中。

  当前，按照沟道结构划分，可以将目前的MOSFET功率器件分为平面型、沟槽型和超结型三类，其相关特征具体如下：

  从行业整体的研发投入情况去看，2018-2022年期间，中国MOSFET行业整体研发投入规模呈逐年上升的趋势，研发投入强度呈现先有所下滑后企稳的趋势。2022年，中国MOSFET行业整体研发投入为260.77亿元，研发投入强度为9.9%。整体看来，我国MOSFET行业研发投入力度较大。

  注：1)研发投入规模为MOSFET行业中企业研发投入的总和;2)研发投入强度为研发投入规模占据营业收入的比值;3)MOSFET行业为前瞻针对企业主营业务筛选出的上市企业样本，样本包括37个上市企业，特此说明。

  从我国MOSFET行业代表性厂商的技术进展情况去看，厂商多聚焦于第三代半导体的研发，采用SiC、GaN等材料来新系列的产品研制，除此之外，以斯达半导为代表的厂商亦聚焦于车用MOSFET领域进行研发与生产。

  结合当前MOSFET行业的技术进展和产品发展路线，可以得知以SiC MOSFET为代表的宽禁带半导体将成为行业的核心发展趋势，对MOSFET行业的技术发展的新趋势总结如下：

  更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《全球及中国MOSFET（功率器件）行业发展前途与投资战略规划分析报告》。

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