扬杰电子请求平面栅SiC MOSFET器材及制备办法专利进步功率密度

时间: 2024-12-11 10:34:48 |   作者: 产品品牌

　　金融界2024年10月24日音讯，国家知识产权局信息数据显现，扬州扬杰电子科技股份有限公司请求一项名为“一种平面栅SiC MOSFET器材及制备办法”的专利，公开号CN 118800658 A，请求日期为2024年6月。

　　专利摘要显现，一种平面栅SiC MOSFET器材及制备办法，触及半导体技术领域。本发明将没有P+区的P‑body体区的尺度缩小，从而使惯例的条形沟道区变为台阶形沟道区，导致器材内部单位面积中作为通流途径的沟道区长度增加到1.6um左右，来进步器材单位面积的通流才能，进步功率密度。

　　特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包含在内)为自媒体渠道“网易号”用户上传并发布，本渠道仅供给信息存储服务。

　　蒋介石听闻毛岸英献身后，深夜支走宋美龄，只对蒋经国说了一番线岁瓦利耶娃冷艳露脸，展示老练身段与女人魅力。

　　外媒：卢卡申科证明白俄罗斯具有核武器，此外将自主挑选“榛树”导弹打击目标

　　利物浦1-0赫罗纳 6战全胜领跑提早确定欧冠16强 萨拉赫50球里程碑

　　南通才智赋能搭台｜汾阳教育借智登高——汾阳市责任教育阶段校长赴江苏南通名校访学调查

　　三星 Galaxy Xcover 8 Pro 巩固型手机电池曝光：4350 mAh

　　苹果 Apple Music 新增三大全球音乐电台：无需订阅，免费畅听

　　《编码物候》展览开幕 北京年代美术馆以科学艺术解读数字与生物交错的世界节律